个人信息

姓    名： 张文号

职    称： 副教授

电子邮箱： wenhaozhang@hust.edu.cn

办公地址： 科技楼南412B

个人简历

2004-2008年  华中科技大学物理系，学士学位；

2008-2014年  清华大学物理系，博士学位；

2014-2016年  复旦大学物理学系，博士后研究；

2016年-至今  华中科技大学物理学院，副教授。

主要研究领域及成果

1. 
   

2. 利用分子束外延技术，在SrTiO₃衬底上成功生长出了FeSe薄膜，并在单层FeSe薄膜中发现高达20 meV的超导能隙，表明有可能存在接近液氮温度（77 K）的超导转变迹象。（Chin. Phys. Lett. 29, 037402 (2012)）

3. 
   

4. 结合扫描隧道显微镜，电学输运，互感线圈，扫描透射电镜，脉冲强磁场等强大有效地工具，系统深入的研究了FeSe/SrTiO₃界面超导的特性。（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，Scientific Reports 4, 0640 (2014)）

5. 
   

6. 利用高分辨角分辨光电子能谱实验手段，系统研究了单层FeSe/SrTiO₃薄膜的电子结构，并建立了详细的超导相图。(Nat. Commun. 3, 931 (2012), Nat. Mater. 12, 606 (2013), Nat. Commun. 5, 5047 (2014), Proc. Natl. Acad. Sci. USA 105, 14262 (2014)）

7. 
   

8. 利用结合扫描隧道显微镜、电学输运测量以及场效应技术，研究了真空退火对单层FeSe/SrTiO₃薄膜超导性质的影响。由此，证明了电子掺杂有利于增强FeSe/SrTiO₃体系的界面超导。（Phys. Rev. B 89, 060506(R) (2014)）

9. 
   

10. FeSe薄膜表面电子掺杂效应的。测量了不同层厚(1-20UC) FeSe薄膜表面沉积碱金属原子（K）后，其电子结构的变化情况，得到了超导随电子浓度掺杂效应的电子相图。并比较了不同衬底上（SrTiO₃和Grapene/SiC）FeSe薄膜的超导电性对电子掺杂的响应。实验数据证明了电子掺杂有利于增强FeSe的超导，并排除了应力作用。厚层FeSe薄膜最佳超导能隙 ~ 9 meV，对比单层FeSe/SrTiO₃上高达15 meV的超导能隙，表明其余的贡献来自于界面效应，如电声耦合增强等。（Nano Lett. 16, 1969 (2016)）

2017-2018学年第一学期课程：大学物理