副教授
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张文号
发布时间:2016-09-02

 

个人信息

姓    名: 张文号

职    称: 副教授

电子邮箱: wenhaozhang@hust.edu.cn

办公地址: 科技楼南412B

 

个人简历

2004-2008年  华中科技大学物理系,学士学位;

2008-2014年  清华大学物理系,博士学位;

2014-2016年  复旦大学物理学系,博士后研究;

2016年-至今  华中科技大学物理学院,副教授。

 

主要研究领域及成果

  1. 利用分子束外延技术,在SrTiO3衬底上成功生长出了FeSe薄膜,并在单层FeSe薄膜中发现高达20 meV的超导能隙,表明有可能存在接近液氮温度(77 K)的超导转变迹象。(Chin. Phys. Lett. 29, 037402 (2012))
  2. 结合扫描隧道显微镜,电学输运,互感线圈,扫描透射电镜,脉冲强磁场等强大有效地工具,系统深入的研究了FeSe/SrTiO3界面超导的特性。(Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014),Scientific Reports 4, 0640 (2014))
  3. 利用高分辨角分辨光电子能谱实验手段,系统研究了单层FeSe/SrTiO3薄膜的电子结构,并建立了详细的超导相图。(Nat. Commun. 3, 931 (2012), Nat. Mater. 12, 606 (2013), Nat. Commun. 5, 5047 (2014), Proc. Natl. Acad. Sci. USA 105, 14262 (2014))
  4. 利用结合扫描隧道显微镜、电学输运测量以及场效应技术,研究了真空退火对单层FeSe/SrTiO3薄膜超导性质的影响。由此,证明了电子掺杂有利于增强FeSe/SrTiO3体系的界面超导。(Phys. Rev. B 89, 060506(R) (2014))
  5. FeSe薄膜表面电子掺杂效应的。测量了不同层厚(1-20UC) FeSe薄膜表面沉积碱金属原子(K)后,其电子结构的变化情况,得到了超导随电子浓度掺杂效应的电子相图。并比较了不同衬底上(SrTiO3和Grapene/SiC)FeSe薄膜的超导电性对电子掺杂的响应。实验数据证明了电子掺杂有利于增强FeSe的超导,并排除了应力作用。厚层FeSe薄膜最佳超导能隙 ~ 9 meV,对比单层FeSe/SrTiO3上高达15 meV的超导能隙,表明其余的贡献来自于界面效应,如电声耦合增强等。(Nano Lett. 16, 1969 (2016))

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